Стабильная одновременная работа каждого канала в 1 Ом. Широкий полосовой фильтр с независимой регулировкой верхней и нежней границ. Расширенный частотный диапазон. Возможность подключения по мостовой схеме. MOSFET транзисторы.
Класс | D |
Количество каналов | 4 |
Номинальная мощность на канал | 130 Вт (4 Ом) |
Номинальная выходная мощность | 4х210 Вт (2 Ом) |
Номинальная мощность на канал | 260 Вт (1 Ом) |
Номинальная выходная мощность в мостовом включении | 2х400 Вт (4 Ом) |
Номинальная выходная мощность в мостовом включении | 2х500 Вт (2 Ом) |
Диапазон частот (-3 дБ), Гц, не уже | 10-50000 |
Коэффициент гармонических искажений, %, не более | 0,05 |
Разделение каналов, дБ, не менее | 60 |
Входная чувствительность, В | 0,2 – 6 |
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее | 100 |
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц | 10-8000 |
Пределы регулировки ФВЧ (12 дБ/окт), Гц | 10-8000 |
Пределы регулировки границ полосового фильтра (12 дБ/окт), Гц | 10-8000 |
Размеры, мм | 340 × 260 × 51 |